MEE250-12DA_北京浩诚嘉泰科技有限公司

封装外形：

SMD(SO)/表面封装

型号/规格：

MEE250-12DA

材料：

IGBT*缘栅比*

用途：

MOS-TPBM/三相桥

品牌/商标：

IXY美国电报半导体

沟道类型：

N沟道

种类：

*缘栅(MOSFET)

导电方式：

耗尽型

1：

询价

*电子元器件代理:GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅，整流桥模块，快恢复二*管，场效应及驱动电路.品牌三菱、富士、东芝、三社、三垦、西门康、西门子、eupec、IR，IXYS，日立等*快速熔断器，电解电容,大制动电阻;东芝、安川、三垦、富士、三菱等IGBT功率模块。

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