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产品分类
场效应管MOSFET(20)
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供应IGBT模块FP10R12YT3_B4
品牌：
INFINEON/英飞凌
型号：
FP10R12YT3_B4
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
MOS-TPBM/三相桥
封装外形：
SMD(SO)/表面封装
材料：
IGBT*缘栅比*
开启电压：
1（V）
夹断电压：
1（V）
跨导：
1（μS）
*间电容：
1（pF）
产品信息
北京浩诚嘉泰科技有限公司是一家以研发、销售、系统集成项目、配套电子的企业.*电子元器件代理:GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅，整流桥模块，快恢复二*管，场效应及驱动电路.品牌三菱、富士、东芝、三社、三垦、西门康、西门子、eupec、IR，IXYS，日立等*快速熔断器，电解电容,大制动电阻；东芝、安川、三垦、富士、三菱等IGBT功率模块。
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