北京浩诚嘉泰科技有限公司

供应FF400R06ME3英飞凌IGBT

型号/规格:FF400R06ME3 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） *类别:无铅*型

供应IGBT模块FP10R12YT3_B4

品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:FP10R12YT3_B4 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-TPBM/三相桥 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:IGBT*缘栅比* 开启电压:1（V） 夹断电压:1（V） 跨导:1（μS） *间电容:1（pF） 低频噪声系数:1（dB） 漏*电流:1（mA） 耗散功率:1（mW）

FZ1200R16KF6 英飞凌

封装外形:SMD(SO)/表面封装 型号/规格:FZ1200R16KF6 材料:IGBT*缘栅比* 用途:MOS-TPBM/三相桥 品牌/商标:INFINEON/英飞凌 沟道类型:N沟道 种类:*缘栅(MOSFET) 导电方式:耗尽型 1:1

富士IGBT模块7*R25VY120-50

品牌/商标:FJD日本富士电机 型号/规格:7*R25VY120-50 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-TPBM/三相桥 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:IGBT*缘栅比* 开启电压:1（V） 夹断电压:1（V） 跨导:1（μS） *间电容:1（pF） 低频噪声系数:1（dB） 漏*电流:1（mA） 耗散功率:1（mW）

供应富士IGBT模块1*2400UD-120

品牌/商标:FJD日本富士电机 型号/规格:1*2400UD-120 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:MOS-INM/*组件 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:*肖特基势垒栅 开启电压:1（V） 夹断电压:1（V） 跨导:1（μS） *间电容:1（pF） 低频噪声系数:1（dB） 漏*电流:1（mA） 耗散功率:1（mW）

MEE250-12DA

封装外形:SMD(SO)/表面封装 型号/规格:MEE250-12DA 材料:IGBT*缘栅比* 用途:MOS-TPBM/三相桥 品牌/商标:IXY美国电报半导体 沟道类型:N沟道 种类:*缘栅(MOSFET) 导电方式:耗尽型 1:1

供应IGBT模块2*150S-120

品牌/商标:FJD日本富士电机 型号/规格:2*150S-120 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-FBM/全桥组件 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:IGBT*缘栅比*

供应IGBT模块6*P75RA060

品牌/商标:FJD日本富士电机 型号/规格:6*P75RA060 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-FBM/全桥组件 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:IGBT*缘栅比*

供应IGBT模块7*P75RA060

品牌/商标:FJD日本富士电机 型号/规格:7*P75RA060 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-FBM/全桥组件 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:IGBT*缘栅比*

供应IGBT模块6*50S-120

品牌/商标:FJD日本富士电机 型号/规格:6*50S-120 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-FBM/全桥组件 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:IGBT*缘栅比*

供应IGBT模块6*35S-120

品牌/商标:FJD日本富士电机 型号/规格:6*35S-120 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-FBM/全桥组件 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:IGBT*缘栅比*

供应IGBT模块6*10S-120

品牌/商标:FJD日本富士电机 型号/规格:6*10S-120 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-FBM/全桥组件 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:IGBT*缘栅比*

供应IGBT模块6*10GS-060

品牌/商标:FJD日本富士电机 型号/规格:6*10GS-060 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-FBM/全桥组件 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:IGBT*缘栅比*

供应IGBT模块6*P50RA060

品牌/商标:FJD日本富士电机 型号/规格:6*P50RA060 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-FBM/全桥组件 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:IGBT*缘栅比*

供应IGBT模块6*P200RA060

品牌/商标:FJD日本富士电机 型号/规格:6*P200RA060 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-FBM/全桥组件 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:IGBT*缘栅比*

供应IGBT模块6*P20RH-060

品牌/商标:FJD日本富士电机 型号/规格:6*P20RH-060 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-FBM/全桥组件 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:IGBT*缘栅比*

供应IGBT模块1*400S-120

品牌/商标:FJD日本富士电机 型号/规格:1*400S-120 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-FBM/全桥组件 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:IGBT*缘栅比*

供应IGBT模块6*P150RA060

品牌/商标:FJD日本富士电机 型号/规格:6*P150RA060 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-FBM/全桥组件 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:IGBT*缘栅比*

供应IGBT模块6*P75RTB060

品牌/商标:FJD日本富士电机 型号/规格:6*P75RTB060 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-FBM/全桥组件 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:IGBT*缘栅比*

* igbt 欧派克 FZ900R12KL4C

封装外形:LLCC/无引线陶瓷片载 型号/规格:FZ900R12KL4C 材料:IGBT*缘栅比* 用途:MOS-TPBM/三相桥 品牌/商标:INFINEON/英飞凌 沟道类型:N沟道 种类:*缘栅(MOSFET) 导电方式:耗尽型 1:1